A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > JAN1N5620
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6294550JAN1N5620 képMicrosemi Corporation

JAN1N5620

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$10.42
10+
$9.38
25+
$8.546
100+
$7.713
250+
$7.087
500+
$6.462
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    JAN1N5620
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Adatlapokat
    JAN1N5620.pdf
  • ECAD modell
  • Feszültség - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1A
  • Sorozat
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • RoHS állapot
    Bulk
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ellenállás @ If, F
    -
  • Polarizáció
    A, Axial
  • Más nevek
    1086-2111
    1086-2111-MIL
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    2µs
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    8 Weeks
  • Gyártási szám
    JAN1N5620
  • Bővített leírás
    Diode Standard 800V 1A Through Hole
  • Dióda konfiguráció
    500nA @ 800V
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként)
    800V
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "JAN1N5620" kapcsolódó termékek.
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Leírás: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Leírás: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Leírás: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.