A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > JAN1N5619US
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6518421

JAN1N5619US

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
100+
$11.594
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    JAN1N5619US
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Adatlapokat
    JAN1N5619US.pdf
  • ECAD modell
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1.6V @ 3A
  • Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)
    600V
  • Szállító eszközcsomag
    D-5A
  • Sebesség
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sorozat
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    250ns
  • Csomagolás
    Bulk
  • Csomagolás / tok
    SQ-MELF, A
  • Más nevek
    1086-19421
    1086-19421-MIL
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    -65°C ~ 175°C
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    8 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diódatípus
    Standard
  • Részletes leírás
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    500nA @ 600V
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)
    1A
  • Capacitance @ Vr, F
    25pF @ 12V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "JAN1N5619US" kapcsolódó termékek.
JAN1N5617

JAN1N5617

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Leírás: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Leírás: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.