JAN1N5629A

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

JAN1N5629A
Gyártó / Márka

Microsemi
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólom / RoHS nem megfelelő
Adatlapokat

JAN1N5629A.pdf
Feszültség - Visszahúzódás (Typ)

5.8V
Feszültség - rögzítés (Max) @ Ipp

10.5V
Feszültségelosztás (Min)

6.45V
Egyirányú csatornák

1
típus

Zener
Szállító eszközcsomag

DO-13 (DO-202AA)
Sorozat

Military, MIL-PRF-19500/500
Power Line védelem

No
Teljesítmény - csúcsimpulzus

1500W (1.5kW)
Csomagolás

Bulk
Csomagolás / tok

DO-13
Más nevek

1086-15772
1086-15772-MIL
Üzemi hőmérséklet

-65°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus

Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Contains lead / RoHS non-compliant
Aktuális - Peak Pulse (10 / 1000μs)

143A
Kapacitás @ Frekvencia

-
Alkalmazások

General Purpose

Az alábbiakban az "JAN1N5629A" kapcsolódó termékek.

JAN1N5622US

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5646A

Leírás: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5623

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5632A

Leírás: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5619US

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5621US

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5642A

Leírás: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5640A

Leírás: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5621

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation

Raktáron

RFQ

JAN1N5620

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation

Raktáron

RFQ

JAN1N5644A

Leírás: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5635A

Leírás: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5645A

Leírás: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5619

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5620US

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5639A

Leírás: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5622

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5647A

Leírás: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5637A

Leírás: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

JAN1N5623US

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

Előzetes regisztráció

JAN1N5629A

Ajánlat kérése

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

JAN1N5622US

JAN1N5646A

JAN1N5623

JAN1N5632A

JAN1N5619US

JAN1N5621US

JAN1N5642A

JAN1N5640A

JAN1N5621

JAN1N5620

JAN1N5644A

JAN1N5635A

JAN1N5645A

JAN1N5619

JAN1N5620US

JAN1N5639A

JAN1N5622

JAN1N5647A

JAN1N5637A

JAN1N5623US

Válasszon nyelvet

Aktuális nyelv