A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > JAN1N5811US
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2688214JAN1N5811US képMicrosemi

JAN1N5811US

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
100+
$10.528
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    JAN1N5811US
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Adatlapokat
    JAN1N5811US.pdf
  • ECAD modell
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    875mV @ 4A
  • Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)
    150V
  • Szállító eszközcsomag
    B, SQ-MELF
  • Sebesség
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sorozat
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    30ns
  • Csomagolás
    Bulk
  • Csomagolás / tok
    SQ-MELF, B
  • Más nevek
    1086-2127
    1086-2127-MIL
    Q9178857
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    -65°C ~ 175°C
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diódatípus
    Standard
  • Részletes leírás
    Diode Standard 150V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    5µA @ 150V
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)
    6A
  • Capacitance @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "JAN1N5811US" kapcsolódó termékek.
JAN1N6036A

JAN1N6036A

Leírás: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6039A

JAN1N6039A

Leírás: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

Leírás: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Leírás: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Leírás: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Leírás: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Leírás: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Leírás: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Leírás: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.