A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > JAN1N5822
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1487446JAN1N5822 képMicrosemi

JAN1N5822

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$175.86
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    JAN1N5822
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Adatlapokat
    JAN1N5822.pdf
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    500mV @ 3A
  • Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)
    40V
  • Szállító eszközcsomag
    -
  • Sebesség
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sorozat
    Military, MIL-PRF-19500/620
  • Csomagolás
    Bulk
  • Csomagolás / tok
    B, Axial
  • Más nevek
    1086-15227
    1086-15227-MIL
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    -65°C ~ 125°C
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diódatípus
    Schottky
  • Részletes leírás
    Diode Schottky 40V 3A Through Hole
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    100µA @ 40V
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)
    3A
  • Capacitance @ Vr, F
    -

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "JAN1N5822" kapcsolódó termékek.
JAN1N5907

JAN1N5907

Leírás: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6044A

JAN1N6044A

Leírás: TVS DIODE 13V 22.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N6036A

JAN1N6036A

Leírás: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Leírás: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6043A

JAN1N6043A

Leírás: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Leírás: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6039A

JAN1N6039A

Leírás: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6045A

JAN1N6045A

Leírás: TVS DIODE 15V 25.2V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6052A

JAN1N6052A

Leírás: TVS DIODE 30V 49.9V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6051A

JAN1N6051A

Leírás: TVS DIODE 28V 45.7V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Leírás: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

Leírás: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6047A

JAN1N6047A

Leírás: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.