A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SISC06DN-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2020316SISC06DN-T1-GE3 képElectro-Films (EFI) / Vishay

SISC06DN-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.435
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SISC06DN-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    PowerPAK® 1212-8
  • Sorozat
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    2.7 mOhm @ 15A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    PowerPAK® 1212-8
  • Más nevek
    SISC06DN-T1-GE3TR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    32 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2455pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    Schottky Diode (Isolated)
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 27.6A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 46.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    27.6A (Ta), 40A (Tc)
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Leírás: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Leírás: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Leírás: SMALL SIGNAL+P-CH

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Leírás: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Leírás: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Leírás: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez