A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

*Cégnév
*Név
*Cím

*Email cím
*Telefonszám

*Ország
*Kapcsolattartó ablak
*Esemény dátuma

*Üzenet

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.

Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SISA24DN-T1-GE3

RFQs/megrendelés (0)

Magyarország

Magyarország

246381

SISA24DN-T1-GE3 kép

Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA24DN-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

3000+

$0.409

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

SISA24DN-T1-GE3
Gyártó / Márka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

SISA24DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technológia

MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag

PowerPAK® 1212-8
Sorozat

TrenchFET® Gen IV
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs

1.4 mOhm @ 15A, 10V
Teljesítményleadás (Max)

52W (Tc)
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

PowerPAK® 1212-8
Más nevek

SISA24DN-T1-GE3TR
Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje

32 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V
FET típus

N-Channel
FET funkció

-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)

4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)

25V
Részletes leírás

N-Channel 25V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Kapcsolódó hír
Szállítás
Fizetés

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

Szállítás

Fizetés

Az alábbiakban az "SISA24DN-T1-GE3" kapcsolódó termékek.

SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Leírás: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)

Raktáron

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Leírás: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)

Raktáron

SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Leírás: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)

Raktáron

Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.

Kövess minket

Felhasználási feltételek Jogsértési politika Árajánlatot kér Rólunk Lépjen kapcsolatba velünk Helytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.