A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SIS429DNT-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
725259SIS429DNT-T1-GE3 képElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS429DNT-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
6000+
$0.151
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SIS429DNT-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
  • Adatlapokat
    SIS429DNT-T1-GE3.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    PowerPAK® 1212-8
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    27.8W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    PowerPAK® 1212-8
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    32 Weeks
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET típus
    P-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    P-Channel 30V 20A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SIS429DNT-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.