A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

*Cégnév
*Név
*Cím

*Email cím
*Telefonszám

*Ország
*Kapcsolattartó ablak
*Esemény dátuma

*Üzenet

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.

Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SIS410DN-T1-GE3

RFQs/megrendelés (0)

Magyarország

Magyarország

6602192

SIS410DN-T1-GE3 kép

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS410DN-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

3000+

$0.494

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

SIS410DN-T1-GE3
Gyártó / Márka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

SIS410DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technológia

MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag

PowerPAK® 1212-8
Sorozat

TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V
Teljesítményleadás (Max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

PowerPAK® 1212-8
Más nevek

SIS410DN-T1-GE3-ND
SIS410DN-T1-GE3TR
SIS410DNT1GE3
Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje

27 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 10V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
FET típus

N-Channel
FET funkció

-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)

4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)

20V
Részletes leírás

N-Channel 20V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Kapcsolódó hír
Szállítás
Fizetés

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

Szállítás

Fizetés

Az alábbiakban az "SIS410DN-T1-GE3" kapcsolódó termékek.

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.

Kövess minket

Felhasználási feltételek Jogsértési politika Árajánlatot kér Rólunk Lépjen kapcsolatba velünk Helytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.