SI4447DY-T1-E3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

2500+

$0.334

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

SI4447DY-T1-E3
Gyártó / Márka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

SI4447DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technológia

MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag

8-SO
Sorozat

TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 4.5A, 15V
Teljesítményleadás (Max)

1.1W (Ta)
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek

SI4447DY-T1-E3TR
SI4447DYT1E3
Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje

33 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 20V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
FET típus

P-Channel
FET funkció

-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)

15V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)

40V
Részletes leírás

P-Channel 40V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C

3.3A (Ta)

Az alábbiakban az "SI4447DY-T1-E3" kapcsolódó termékek.

SI4451DY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4438DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4442DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4438-C2A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

RFQ

SI4446DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4447DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4455-B1A-FMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

RFQ

SI4448DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4442DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4446DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4453DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4455-B1A-FM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

RFQ

SI4453DY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4438DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4455-C2A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

RFQ

SI4451DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4438-C2A-GMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

RFQ

SI4448DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

SI4438-B1C-FMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)

Raktáron

RFQ

SI4447ADY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

Előzetes regisztráció

SI4447DY-T1-E3

Ajánlat kérése

referencia ár (amerikai dollárban)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

SI4451DY-T1-E3

SI4438DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-E3

SI4438-C2A-GM

SI4446DY-T1-E3

SI4447DY-T1-GE3

SI4455-B1A-FMR

SI4448DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

SI4455-B1A-FM

SI4453DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

SI4455-C2A-GM

SI4451DY-T1-GE3

SI4438-C2A-GMR

SI4448DY-T1-E3

SI4438-B1C-FMR

SI4447ADY-T1-GE3

Válasszon nyelvet

Aktuális nyelv