A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4446DY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
4172386

SI4446DY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4446DY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4446DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 5.2A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    1.1W (Ta)
  • Csomagolás
    Original-Reel®
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4446DY-T1-GE3DKR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    700pF @ 20V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 4.5V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    40V
  • Részletes leírás
    N-Channel 40V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Ta)

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4446DY-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4451DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.