A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4168DY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3093671

SI4168DY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.547
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4168DY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4168DY-T1-GE3-ND
    SI4168DY-T1-GE3TR
    SI4168DYT1GE3
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1720pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

Leírás: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez