A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4190ADY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6051314

SI4190ADY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$2.20
10+
$1.988
100+
$1.598
500+
$1.242
1000+
$1.029
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4190ADY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4190ADY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    3W (Ta), 6W (Tc)
  • Csomagolás
    Original-Reel®
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4190ADY-T1-GE3DKR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1970pF @ 50V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    100V
  • Részletes leírás
    N-Channel 100V 18.4A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    18.4A (Tc)

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4190ADY-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4200-GM

SI4200-GM

Leírás: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4201-BM

SI4201-BM

Leírás: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Leírás: BOARD EVAL FOR SI4200

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4200-BM

SI4200-BM

Leírás: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4201-GM

SI4201-GM

Leírás: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.