A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > DMN32D2LFB4-7
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
4275986DMN32D2LFB4-7 képDiodes Incorporated

DMN32D2LFB4-7

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.16
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMN32D2LFB4-7
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    DMN32D2LFB4-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    X2-DFN1006-3
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Teljesítményleadás (Max)
    350mW (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    3-XFDFN
  • Más nevek
    DMN32D2LFB47
    DMN32D2LFB4DITR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    14 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    39pF @ 3V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    1.8V, 4V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMN32D2LFB4-7" kapcsolódó termékek.
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Leírás: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Leírás: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Leírás: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.