A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Arrays > DMN33D8LDW-13
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1935697DMN33D8LDW-13 képDiodes Incorporated

DMN33D8LDW-13

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
10000+
$0.067
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMN33D8LDW-13
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    DMN33D8LDW-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Szállító eszközcsomag
    SOT-363
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Teljesítmény - Max
    350mW
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    24 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    48pF @ 5V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    1.23nC @ 10V
  • FET típus
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funkció
    Standard
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    250mA

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMN33D8LDW-13" kapcsolódó termékek.
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Leírás: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Leírás: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.