A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SIE812DF-T1-E3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
4937637SIE812DF-T1-E3 képVishay Siliconix

SIE812DF-T1-E3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$1.649
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SIE812DF-T1-E3
  • Gyártó / Márka
    Vishay / Siliconix
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SIE812DF-T1-E3.pdf
  • ECAD modell
  • Feszültség - teszt
    8300pF @ 20V
  • Feszültségelosztás
    10-PolarPAK® (L)
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6 mOhm @ 25A, 10V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RoHS állapot
    Tape & Reel (TR)
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    60A (Tc)
  • Polarizáció
    10-PolarPAK® (L)
  • Más nevek
    SIE812DF-T1-E3TR
    SIE812DFT1E3
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    24 Weeks
  • Gyártási szám
    SIE812DF-T1-E3
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    170nC @ 10V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    3V @ 250µA
  • FET funkció
    N-Channel
  • Bővített leírás
    N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    -
  • Leírás
    MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    40V
  • Kapacitásarány
    5.2W (Ta), 125W (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SIE812DF-T1-E3" kapcsolódó termékek.
SIE816DF-T1-GE3

SIE816DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE810DF-T1-GE3

SIE810DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE804DF-T1-GE3

SIE804DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE812DF-T1-GE3

SIE812DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE830DF-T1-E3

SIE830DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE808DF-T1-E3

SIE808DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE822DF-T1-GE3

SIE822DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE802DF-T1-GE3

SIE802DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE820DF-T1-GE3

SIE820DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE816DF-T1-E3

SIE816DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE806DF-T1-E3

SIE806DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE802DF-T1-E3

SIE802DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE820DF-T1-E3

SIE820DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE808DF-T1-GE3

SIE808DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE806DF-T1-GE3

SIE806DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE818DF-T1-GE3

SIE818DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE822DF-T1-E3

SIE822DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE800DF-T1-GE3

SIE800DF-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIE810DF-T1-E3

SIE810DF-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

Gyártók: Vishay Siliconix
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.