A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > BYG10GHE3/TR3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3105571BYG10GHE3/TR3 képVishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3/TR3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
7500+
$0.132
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    BYG10GHE3/TR3
  • Gyártó / Márka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    1.BYG10GHE3/TR3.pdf
    2.BYG10GHE3/TR3.pdf
  • ECAD modell
  • Feszültség - Peak Reverse (Max)
    Avalanche
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1.5A
  • Feszültségelosztás
    DO-214AC (SMA)
  • Sorozat
    -
  • RoHS állapot
    Tape & Reel (TR)
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ellenállás @ If, F
    -
  • Polarizáció
    DO-214AC, SMA
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    4µs
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    14 Weeks
  • Gyártási szám
    BYG10GHE3/TR3
  • Bővített leírás
    Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Dióda konfiguráció
    1µA @ 400V
  • Leírás
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként)
    400V
  • Capacitance @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "BYG10GHE3/TR3" kapcsolódó termékek.
BYG10J-M3/TR3

BYG10J-M3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10GHM3/TR

BYG10GHM3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG10J-M3/TR

BYG10J-M3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10G-M3/TR3

BYG10G-M3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10GHM3/TR3

BYG10GHM3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG10GHM3_A/H

BYG10GHM3_A/H

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10J-E3/TR

BYG10J-E3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10DHM3_A/H

BYG10DHM3_A/H

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10DHM3/TR

BYG10DHM3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG10G-E3/TR3

BYG10G-E3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10DHM3/TR3

BYG10DHM3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG10G-M3/TR

BYG10G-M3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10DHM3_A/I

BYG10DHM3_A/I

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10GHM3_A/I

BYG10GHM3_A/I

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10GHE3_A/I

BYG10GHE3_A/I

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10DHE3_A/I

BYG10DHE3_A/I

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10GHE3/TR

BYG10GHE3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG10J-E3/TR3

BYG10J-E3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10GHE3_A/H

BYG10GHE3_A/H

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG10G-E3/TR

BYG10G-E3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.