MSMBJ12AE3/TR

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

800+

$1.145

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

MSMBJ12AE3/TR
Gyártó / Márka

Microsemi
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

TVS
Ólommentes állapot / RoHS állapot

RoHS megfelelőség
Adatlapokat

MSMBJ12AE3/TR.pdf
Feszültség - Visszahúzódás (Typ)

12V
Feszültség - rögzítés (Max) @ Ipp

19.9V
Feszültségelosztás (Min)

13.3V
Egyirányú csatornák

1
típus

Zener
Szállító eszközcsomag

SMBJ (DO-214AA)
Sorozat

Military, MIL-PRF-19500
RoHS állapot

RoHS Compliant
Power Line védelem

No
Teljesítmény - csúcsimpulzus

600W
Csomagolás / tok

DO-214AA, SMB
Más nevek

MSMBJ12AE3/TRMS
Üzemi hőmérséklet

-65°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
Aktuális - Peak Pulse (10 / 1000μs)

30.2A
Kapacitás @ Frekvencia

-
Alkalmazások

General Purpose

Az alábbiakban az "MSMBJ12AE3/TR" kapcsolódó termékek.

MSMBJ11CA/TR

Leírás: TVS

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ120CAE3

Leírás: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ12A/TR

Leírás: TVS

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ120AE3

Leírás: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ12A

Leírás: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ12CA/TR

Leírás: TVS

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ130CA

Leírás: TVS DIODE 130V 209V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ13A/TR

Leírás: TVS

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ130AE3

Leírás: TVS DIODE 130V 209V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ12CA

Leírás: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA

Gyártók: Microsemi Corporation

Raktáron

RFQ

MSMBJ130A

Leírás: TVS DIODE 130V 209V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ120A/TR

Leírás: TVS

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ120A

Leírás: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ12CAE3

Leírás: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ120CA

Leírás: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ12CAE3/TR

Leírás: TVS

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ12AE3

Leírás: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ13A

Leírás: TVS DIODE 13V 21.5V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ11CAE3

Leírás: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

MSMBJ130CAE3

Leírás: TVS DIODE 130V 209V DO214AA

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

Előzetes regisztráció

MSMBJ12AE3/TR

Ajánlat kérése

referencia ár (amerikai dollárban)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

MSMBJ11CA/TR

MSMBJ120CAE3

MSMBJ12A/TR

MSMBJ120AE3

MSMBJ12A

MSMBJ12CA/TR

MSMBJ130CA

MSMBJ13A/TR

MSMBJ130AE3

MSMBJ12CA

MSMBJ130A

MSMBJ120A/TR

MSMBJ120A

MSMBJ12CAE3

MSMBJ120CA

MSMBJ12CAE3/TR

MSMBJ12AE3

MSMBJ13A

MSMBJ11CAE3

MSMBJ130CAE3

Válasszon nyelvet

Aktuális nyelv