A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - IGBTs - Single > APT27GA90BD15
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2055878APT27GA90BD15 képMicrosemi

APT27GA90BD15

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$8.09
10+
$7.277
30+
$6.631
120+
$5.984
270+
$5.499
510+
$5.013
1020+
$4.366
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    APT27GA90BD15
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    IGBT 900V 48A 223W TO247
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    1.APT27GA90BD15.pdf
    2.APT27GA90BD15.pdf
  • ECAD modell
  • Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max)
    900V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.1V @ 15V, 14A
  • Teszt állapot
    600V, 14A, 10 Ohm, 15V
  • Td (be / ki) @ 25 ° C
    9ns/98ns
  • Energiaváltás
    413µJ (on), 287µJ (off)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-247 [B]
  • Sorozat
    -
  • Teljesítmény - Max
    223W
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-247-3
  • Más nevek
    APT27GA90BD15MI
    APT27GA90BD15MI-ND
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    29 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti típus
    Standard
  • IGBT típus
    PT
  • Gate Charge
    62nC
  • Részletes leírás
    IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B]
  • Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm)
    79A
  • Áram - kollektor (Ic) (Max)
    48A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "APT27GA90BD15" kapcsolódó termékek.
APT25M100J

APT25M100J

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT29F100L

APT29F100L

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT29F80J

APT29F80J

Leírás: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT28F60S

APT28F60S

Leírás: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Leírás: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Leírás: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT28F60B

APT28F60B

Leírás: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT2X100D100J

APT2X100D100J

Leírás: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT26F120L

APT26F120L

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT28M120L

APT28M120L

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT25SM120B

APT25SM120B

Leírás: POWER MOSFET - SIC

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT25SM120S

APT25SM120S

Leírás: POWER MOSFET - SIC

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT29F100B2

APT29F100B2

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Leírás: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT26F120B2

APT26F120B2

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Leírás: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
APT28M120B2

APT28M120B2

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Leírás: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.