A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > APT10SCD120B
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
30402APT10SCD120B képMicrosemi

APT10SCD120B

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    APT10SCD120B
  • Gyártó / Márka
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1.8V @ 10A
  • Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)
    1200V
  • Szállító eszközcsomag
    TO-247
  • Sebesség
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Sorozat
    -
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    0ns
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-247-2
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    -55°C ~ 150°C
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diódatípus
    Silicon Carbide Schottky
  • Részletes leírás
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)
    36A (DC)
  • Capacitance @ Vr, F
    600pF @ 0V, 1MHz
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Leírás: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Leírás: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Leírás: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT11F80S

APT11F80S

Leírás: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Leírás: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Leírás: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Leírás: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Leírás: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Leírás: IGBT 600V 183A 780W TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Leírás: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT102GA60L

APT102GA60L

Leírás: IGBT 600V 183A 780W TO264

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Leírás: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT11F80B

APT11F80B

Leírás: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Leírás: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Leírás: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Leírás: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Gyártók: Microsemi
Raktáron
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Leírás: IGBT 600V 41A 187W TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez