A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > APT10M09B2VFRG
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3048025APT10M09B2VFRG képMicrosemi

APT10M09B2VFRG

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    APT10M09B2VFRG
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    APT10M09B2VFRG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    T-MAX™ [B2]
  • Sorozat
    POWER MOS V®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 50A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    625W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-247-3 Variant
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    9875pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    350nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    100V
  • Részletes leírás
    N-Channel 100V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "APT10M09B2VFRG" kapcsolódó termékek.
APT100S20BG

APT100S20BG

Leírás: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Leírás: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Leírás: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Leírás: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Leírás: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Leírás: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Leírás: IGBT 600V 183A 780W TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Leírás: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Leírás: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Leírás: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Leírás: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Leírás: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Leírás: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Leírás: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Leírás: IGBT 600V 183A 780W TO264

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Leírás: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Leírás: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.