A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > 1N5622US
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
290712

1N5622US

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
153+
$6.049
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    1N5622US
  • Gyártó / Márka
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Adatlapokat
  • Feszültség - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1A
  • Feszültségelosztás
    D-5A
  • Sorozat
    -
  • RoHS állapot
    Bulk
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ellenállás @ If, F
    -
  • Polarizáció
    SQ-MELF, A
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    2µs
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    7 Weeks
  • Gyártási szám
    1N5622US
  • Bővített leírás
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
  • Dióda konfiguráció
    500nA @ 1000V
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként)
    1000V (1kV)
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C
1N5623

1N5623

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
1N5625-TAP

1N5625-TAP

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5624GP-E3/73

1N5624GP-E3/73

Leírás: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5621GPHE3/54

1N5621GPHE3/54

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5624GPHE3/54

1N5624GPHE3/54

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5624-TAP

1N5624-TAP

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5622GP-E3/73

1N5622GP-E3/73

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5621US

1N5621US

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
1N5623GP-E3/54

1N5623GP-E3/54

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5623US

1N5623US

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
1N5624-TR

1N5624-TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5621

1N5621

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
1N5622

1N5622

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
1N5623GPHE3/54

1N5623GPHE3/54

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5622C.TR

1N5622C.TR

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Gyártók: Semtech
Raktáron
1N5621GP-E3/54

1N5621GP-E3/54

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5624GP-E3/54

1N5624GP-E3/54

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
1N5620US

1N5620US

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Gyártók: Microsemi
Raktáron
1N5621GP-E3/73

1N5621GP-E3/73

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
1N5622GP-E3/54

1N5622GP-E3/54

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez