A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > RS3E135BNGZETB
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5328174

RS3E135BNGZETB

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$1.12
10+
$0.988
100+
$0.781
500+
$0.605
1000+
$0.478
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    RS3E135BNGZETB
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    RS3E135BNGZETB.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SOP
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    2W (Tc)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    RS3E135BNGZETBCT
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "RS3E135BNGZETB" kapcsolódó termékek.
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3G/7T

RS3G/7T

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Leírás: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.