A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > RS1E300GNTB
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
4120334RS1E300GNTB képLAPIS Semiconductor

RS1E300GNTB

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.457
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    RS1E300GNTB
  • Gyártó / Márka
    LAPIS Technology
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    RS1E300GNTB.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-HSOP
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    2.2 mOhm @ 30A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    3W (Ta), 33W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-PowerTDFN
  • Más nevek
    RS1E300GNTBTR
  • Üzemi hőmérséklet
    150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2500pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    39.8nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 30A (Ta) 3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    30A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "RS1E300GNTB" kapcsolódó termékek.
RS1G R3G

RS1G R3G

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1G

RS1G

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Leírás: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Gyártók: LAPIS Semiconductor
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.