A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > LSIC1MO120E0080
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5245861LSIC1MO120E0080 képHamlin / Littelfuse

LSIC1MO120E0080

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$27.60
10+
$25.53
25+
$23.46
100+
$21.804
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    LSIC1MO120E0080
  • Gyártó / Márka
    Hamlin / Littelfuse
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    LSIC1MO120E0080.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 10mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -6V
  • Technológia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-247-3
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 20A, 20V
  • Teljesítményleadás (Max)
    179W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-247-3
  • Más nevek
    F10335
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    29 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1825pF @ 800V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 20V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    20V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    1200V
  • Részletes leírás
    N-Channel 1200V 39A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    39A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "LSIC1MO120E0080" kapcsolódó termékek.
IPP80N04S3-04

IPP80N04S3-04

Leírás: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
IXFK120N30T

IXFK120N30T

Leírás: MOSFET N-CH 300V 120A TO-264

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

Leírás: SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
LSIC2SD120A15

LSIC2SD120A15

Leírás: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
NTD110N02RT4G

NTD110N02RT4G

Leírás: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
NX3008NBK,215

NX3008NBK,215

Leírás: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Gyártók: Nexperia
Raktáron
RFQ
LSIC2SD120A10

LSIC2SD120A10

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
TK6A65W,S5X

TK6A65W,S5X

Leírás: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage
Raktáron
RFQ
APTM50DAM19G

APTM50DAM19G

Leírás: MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1

Leírás: MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

Leírás: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
LSIC2SD120A08

LSIC2SD120A08

Leírás: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
LSIC2SD120C05

LSIC2SD120C05

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
NTMFS4833NST3G

NTMFS4833NST3G

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
SI7478DP-T1-GE3

SI7478DP-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
AOI4T60P

AOI4T60P

Leírás: MOSFET N-CH

Gyártók: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Raktáron
RFQ
LSIC2SD120A20

LSIC2SD120A20

Leírás: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
LSIC2SD120C10

LSIC2SD120C10

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
LSIC1MO120E0120

LSIC1MO120E0120

Leírás: SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
LSIC2SD120A05

LSIC2SD120A05

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220

Gyártók: Hamlin / Littelfuse
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.