A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > GP2M011A090NG
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2870050GP2M011A090NG képGlobal Power Technologies Group

GP2M011A090NG

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    GP2M011A090NG
  • Gyártó / Márka
    SemiQ
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    GP2M011A090NG.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-3PN
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    416W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Más nevek
    1560-1209-1
    1560-1209-1-ND
    1560-1209-5
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    3240pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    84nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    900V
  • Részletes leírás
    N-Channel 900V 11A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "GP2M011A090NG" kapcsolódó termékek.
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Leírás: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Leírás: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2S24

GP2S24

Leírás: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Gyártók: Sharp Microelectronics
Raktáron
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Leírás: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M008A060HG

GP2M008A060HG

Leírás: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Leírás: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Leírás: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Leírás: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Leírás: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Leírás: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Leírás: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Leírás: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Leírás: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Leírás: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Leírás: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Leírás: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Leírás: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Leírás: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Leírás: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Gyártók: Global Power Technologies Group
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.