A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > GA08JT17-247
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5260174GA08JT17-247 képGeneSiC Semiconductor

GA08JT17-247

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$57.53
10+
$54.15
30+
$50.765
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    GA08JT17-247
  • Gyártó / Márka
    GeneSiC Semiconductor
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    GA08JT17-247.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Technológia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-247AB
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 8A
  • Teljesítményleadás (Max)
    48W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-247-3
  • Más nevek
    1242-1135
    GA08JT17247
  • Üzemi hőmérséklet
    175°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    18 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET típus
    -
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    -
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    1700V
  • Részletes leírás
    1700V 8A (Tc) (90°C) 48W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc) (90°C)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "GA08JT17-247" kapcsolódó termékek.
GA0805Y823MBXBR31G

GA0805Y823MBXBR31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 25V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MXXBT31G

GA0805Y823MXXBT31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 25V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MBXBT31G

GA0805Y823MBXBT31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 25V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MXABT31G

GA0805Y823MXABT31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 50V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MBBBR31G

GA0805Y823MBBBR31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 100V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MBJBR31G

GA0805Y823MBJBR31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 16V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MXBBR31G

GA0805Y823MXBBR31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 100V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MBBBT31G

GA0805Y823MBBBT31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 100V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MXBBT31G

GA0805Y823MXBBT31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 100V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA080TH65-227SP

GA080TH65-227SP

Leírás: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MBABR31G

GA0805Y823MBABR31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 50V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MBJBT31G

GA0805Y823MBJBT31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 16V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MBABT31G

GA0805Y823MBABT31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 50V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MXJBT31G

GA0805Y823MXJBT31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 16V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MXXBR31G

GA0805Y823MXXBR31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 25V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MXJBR31G

GA0805Y823MXJBR31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 16V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
GA0876M

GA0876M

Leírás: SPEAKER 8OHM 1W TOP PORT 85DB

Gyártók: CUI, Inc.
Raktáron
RFQ
GA080TH65

GA080TH65

Leírás: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
GA0876

GA0876

Leírás: SPEAKER 8OHM 1W TOP PORT 90DB

Gyártók: CUI, Inc.
Raktáron
RFQ
GA0805Y823MXABR31G

GA0805Y823MXABR31G

Leírás: CAP CER 0.082UF 50V X7R 0805

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.