A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > 1N8031-GA
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
42381181N8031-GA képGeneSiC Semiconductor

1N8031-GA

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
10+
$172.134
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    1N8031-GA
  • Gyártó / Márka
    GeneSiC Semiconductor
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Adatlapokat
    1N8031-GA.pdf
  • ECAD modell
  • Feszültség - Peak Reverse (Max)
    Silicon Carbide Schottky
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1A
  • Feszültségelosztás
    TO-276
  • Sorozat
    -
  • RoHS állapot
    Tube
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Ellenállás @ If, F
    76pF @ 1V, 1MHz
  • Polarizáció
    TO-276AA
  • Más nevek
    1242-1118
    1N8031GA
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    0ns
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    18 Weeks
  • Gyártási szám
    1N8031-GA
  • Bővített leírás
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276
  • Dióda konfiguráció
    5µA @ 650V
  • Leírás
    DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    1.5V @ 1A
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként)
    650V
  • Capacitance @ Vr, F
    -55°C ~ 250°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "1N8031-GA" kapcsolódó termékek.
1N8033-GA

1N8033-GA

Leírás: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
1N8034-GA

1N8034-GA

Leírás: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
1N8035-GA

1N8035-GA

Leírás: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
1N8032-GA

1N8032-GA

Leírás: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
1N821UR-1

1N821UR-1

Leírás: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N8024-GA

1N8024-GA

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Leírás: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N8028-GA

1N8028-GA

Leírás: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Leírás: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N8182

1N8182

Leírás: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N821AUR

1N821AUR

Leírás: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N8149

1N8149

Leírás: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N8030-GA

1N8030-GA

Leírás: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
1N821

1N821

Leírás: DIODE ZENER DO35

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N8165US

1N8165US

Leírás: TVS DIODE 33V 53.6V

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N822

1N822

Leírás: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N821-1

1N821-1

Leírás: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N821A

1N821A

Leírás: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
1N8026-GA

1N8026-GA

Leírás: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Gyártók: GeneSiC Semiconductor
Raktáron
RFQ
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Leírás: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.