A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SIHG17N80E-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2459125SIHG17N80E-GE3 képElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG17N80E-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$6.27
10+
$5.595
100+
$4.588
500+
$3.715
1000+
$3.133
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SIHG17N80E-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
  • Adatlapokat
    SIHG17N80E-GE3.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-247AC
  • Sorozat
    E
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    208W (Tc)
  • Csomagolás / tok
    TO-247-3
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2408pF @ 100V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    800V
  • Részletes leírás
    N-Channel 800V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SIHG17N80E-GE3" kapcsolódó termékek.
SIHG14N50D-E3

SIHG14N50D-E3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG16N50C-E3

SIHG16N50C-E3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN 600V

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHFS11N50A-GE3

SIHFS11N50A-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 11A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 20A TO247

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG22N50D-E3

SIHG22N50D-E3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHFS9N60A-GE3

SIHFS9N60A-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG17N60D-GE3

SIHG17N60D-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.