A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SIHB24N65EF-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
683480SIHB24N65EF-GE3 képElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHB24N65EF-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$6.96
10+
$6.21
100+
$5.092
500+
$4.123
1000+
$3.478
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SIHB24N65EF-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SIHB24N65EF-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    D²PAK (TO-263)
  • Sorozat
    E
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    156 mOhm @ 12A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    250W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2774pF @ 100V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    650V
  • Részletes leírás
    N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SIHB24N65EF-GE3" kapcsolódó termékek.
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 650V TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB33N60ET1-GE3

SIHB33N60ET1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Gyártók: Vishay Siliconix
Raktáron
RFQ
SIHB30N60E-E3

SIHB30N60E-E3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Leírás: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Gyártók: Vishay Siliconix
Raktáron
RFQ
SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60E-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.