A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Arrays > SI4922BDY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5516222

SI4922BDY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.823
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4922BDY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4922BDY-T1-GE3.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 5A, 10V
  • Teljesítmény - Max
    3.1W
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4922BDY-T1-GE3-ND
    SI4922BDY-T1-GE3TR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    33 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2070pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • FET típus
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funkció
    Standard
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Alap rész száma
    SI4922

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4922BDY-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4914BDY-T1-GE3

SI4914BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4920DY-T1-E3

SI4920DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4916DY-T1-E3

SI4916DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4914BDY-T1-E3

SI4914BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.