A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4660DY-T1-E3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3055957

SI4660DY-T1-E3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4660DY-T1-E3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4660DY-T1-E3.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    5.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2410pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    25V
  • Részletes leírás
    N-Channel 25V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    23.1A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4660DY-T1-E3" kapcsolódó termékek.
SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4638DY-T1-E3

SI4638DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Leírás: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4636DY-T1-E3

SI4636DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4646DY-T1-E3

SI4646DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4682-A10-GM

SI4682-A10-GM

Leírás: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4682-A10-GMR

SI4682-A10-GMR

Leírás: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4636DY-T1-GE3

SI4636DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4642DY-T1-E3

SI4642DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4635-A10-GMR

SI4635-A10-GMR

Leírás: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.