A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4431BDY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
364820

SI4431BDY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.515
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4431BDY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    1.5W (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    33 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • FET típus
    P-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    P-Channel 30V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    5.7A (Ta)
SI4430-A0-FM

SI4430-A0-FM

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4430-B1-FM

SI4430-B1-FM

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Leírás: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez