A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Arrays > SI4286DY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
2993931

SI4286DY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
2500+
$0.499
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4286DY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4286DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    32.5 mOhm @ 8A, 10V
  • Teljesítmény - Max
    2.9W
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4286DY-T1-GE3TR
    SI4286DYT1GE3
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    375pF @ 20V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • FET típus
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funkció
    Standard
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    40V
  • Részletes leírás
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    7A
  • Alap rész száma
    SI4286

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4286DY-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4311-B21-GM

SI4311-B21-GM

Leírás: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4311-B12-GMR

SI4311-B12-GMR

Leírás: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4311-B10-GM

SI4311-B10-GM

Leírás: IC RX FSK 315/434MHZ 20VQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4300-EVB

SI4300-EVB

Leírás: BOARD EVAL FOR SI4300

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4300-E-BM

SI4300-E-BM

Leírás: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4310BDY-T1-E3

SI4310BDY-T1-E3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

Gyártók: Vishay Siliconix
Raktáron
RFQ
SI4300T-B-BM

SI4300T-B-BM

Leírás: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4311-B21-GMR

SI4311-B21-GMR

Leírás: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4311-B12-GM

SI4311-B12-GM

Leírás: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.