A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI4116DY-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
5978576

SI4116DY-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$1.32
10+
$1.171
100+
$0.926
500+
$0.718
1000+
$0.567
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI4116DY-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI4116DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    8-SO
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    8.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Más nevek
    SI4116DY-T1-GE3CT
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1925pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    2.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    25V
  • Részletes leírás
    N-Channel 25V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI4116DY-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI4122-EVB

SI4122-EVB

Leírás: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4122DY-T1-GE3

SI4122DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4114G-B-GM

SI4114G-B-GM

Leírás: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4123-BT

SI4123-BT

Leírás: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI4113-EVB

SI4113-EVB

Leírás: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4122-D-GMR

SI4122-D-GMR

Leírás: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4115G-BM

SI4115G-BM

Leírás: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4122M-EVB

SI4122M-EVB

Leírás: BOARD EVALUATION FOR SI4122

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4113-D-ZT1

SI4113-D-ZT1

Leírás: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4114G-BM

SI4114G-BM

Leírás: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4123-BM

SI4123-BM

Leírás: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Leírás: BOARD EVAL SI4114G-BM

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4122-D-GM

SI4122-D-GM

Leírás: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4122-BT

SI4122-BT

Leírás: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4122-D-GTR

SI4122-D-GTR

Leírás: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4122-D-GT

SI4122-D-GT

Leírás: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI4113M-EVB

SI4113M-EVB

Leírás: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.