A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > SI1078X-T1-GE3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6354314SI1078X-T1-GE3 képElectro-Films (EFI) / Vishay

SI1078X-T1-GE3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$0.48
10+
$0.373
100+
$0.256
500+
$0.175
1000+
$0.132
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    SI1078X-T1-GE3
  • Gyártó / Márka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    SI1078X-T1-GE3.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sorozat
    TrenchFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    142 mOhm @ 1A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    240mW (Tc)
  • Csomagolás
    Original-Reel®
  • Csomagolás / tok
    SOT-563, SOT-666
  • Más nevek
    SI1078X-T1-GE3DKR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 4.5V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    2.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    1.02A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "SI1078X-T1-GE3" kapcsolódó termékek.
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1082-A-GMR

SI1082-A-GMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1083-A-GM

SI1083-A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1084-A-GM

SI1084-A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1081-A-GM

SI1081-A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1080-A-GM

SI1080-A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 20V SC89-6

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1080-A-GMR

SI1080-A-GMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1083-A-GMR

SI1083-A-GMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V SC89

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1082-A-GM

SI1082-A-GM

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1081-A-GMR

SI1081-A-GMR

Leírás: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Gyártók: Energy Micro (Silicon Labs)
Raktáron
RFQ
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

Leírás: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Leírás: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.