A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Arrays > EPC2107ENGRT
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
4991136EPC2107ENGRT képEPC

EPC2107ENGRT

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    EPC2107ENGRT
  • Gyártó / Márka
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • Szállító eszközcsomag
    9-BGA (1.35x1.35)
  • Sorozat
    eGaN®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
  • Teljesítmény - Max
    -
  • Csomagolás
    Original-Reel®
  • Csomagolás / tok
    9-VFBGA
  • Más nevek
    917-EPC2107ENGRDKR
  • Üzemi hőmérséklet
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • FET típus
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • FET funkció
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    100V
  • Részletes leírás
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    1.7A, 500mA
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Leírás: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2110

EPC2110

Leírás: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Leírás: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Leírás: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2107

EPC2107

Leírás: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Leírás: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2104

EPC2104

Leírás: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2108

EPC2108

Leírás: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Leírás: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2202

EPC2202

Leírás: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Leírás: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Leírás: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Leírás: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Leírás: 200 V GAN IC FET DRIVER

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2105

EPC2105

Leírás: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2106

EPC2106

Leírás: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Leírás: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Leírás: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2111

EPC2111

Leírás: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Gyártók: EPC
Raktáron
EPC2203

EPC2203

Leírás: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Gyártók: EPC
Raktáron

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez