A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > ZXMN3A03E6TC
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6494816ZXMN3A03E6TC képDiodes Incorporated

ZXMN3A03E6TC

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    ZXMN3A03E6TC
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    ZXMN3A03E6TC.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    SOT-23-6
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    1.1W (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    SOT-23-6
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "ZXMN3A03E6TC" kapcsolódó termékek.
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Leírás: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Leírás: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Leírás: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Leírás: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Leírás: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.