A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > DMN3010LFG-13
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3681969DMN3010LFG-13 képDiodes Incorporated

DMN3010LFG-13

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.251
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMN3010LFG-13
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    DMN3010LFG-13.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    PowerDI3333-8
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 18A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    900mW (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-PowerWDFN
  • Más nevek
    DMN3010LFG-13DI
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    32 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    2075pF @ 15V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    37nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    30V
  • Részletes leírás
    N-Channel 30V 11A (Ta), 30A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 30A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMN3010LFG-13" kapcsolódó termékek.
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Leírás: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Leírás: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Leírás: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Leírás: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Leírás: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Leírás: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Leírás: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Leírás: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Leírás: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Leírás: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.