A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > DMN10H170SFG-7
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3235008DMN10H170SFG-7 képDiodes Incorporated

DMN10H170SFG-7

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
1+
$0.56
10+
$0.483
100+
$0.361
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMN10H170SFG-7
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    DMN10H170SFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    PowerDI3333-8
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    122 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    940mW (Ta)
  • Csomagolás
    Cut Tape (CT)
  • Csomagolás / tok
    8-PowerWDFN
  • Más nevek
    DMN10H170SFG-7CT
    DMN10H170SFG-7CT-ND
    DMN10H170SFG-7DICT
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    870.7pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    14.9nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    4.5V, 10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    100V
  • Részletes leírás
    N-Channel 100V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMN10H170SFG-7" kapcsolódó termékek.
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Leírás: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.