A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

*Cégnév
*Név
*Cím

*Email cím
*Telefonszám

*Ország
*Kapcsolattartó ablak
*Esemény dátuma

*Üzenet

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.

Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > DMN10H099SFG-13

RFQs/megrendelés (0)

Magyarország

Magyarország

119837

DMN10H099SFG-13 kép

Diodes Incorporated

DMN10H099SFG-13

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

3000+

$0.303

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

DMN10H099SFG-13
Gyártó / Márka

Diodes Incorporated
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

MOSFET N-CH 100V 4.2A
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

DMN10H099SFG-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technológia

MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag

PowerDI3333-8
Sorozat

-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 3.3A, 10V
Teljesítményleadás (Max)

980mW (Ta)
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

8-PowerWDFN
Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje

32 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds

1172pF @ 50V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs

25.2nC @ 10V
FET típus

N-Channel
FET funkció

-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)

6V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)

100V
Részletes leírás

N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta)

Kapcsolódó hír
Szállítás
Fizetés

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

Szállítás

Fizetés

Az alábbiakban az "DMN10H099SFG-13" kapcsolódó termékek.

DMN1019USN-7

Leírás: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1045UFR4-7

Leírás: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H099SFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1033UCB4-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1019UVT-7

Leírás: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H170SFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1032UCB4-7

Leírás: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1029UFDB-7

Leírás: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Leírás: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1029UFDB-13

Leírás: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H120SFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Leírás: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H120SE-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN1019UVT-13

Leírás: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Leírás: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.

Kövess minket

Felhasználási feltételek Jogsértési politika Árajánlatot kér Rólunk Lépjen kapcsolatba velünk Helytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.