A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > DMJ70H600SH3
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1185594

DMJ70H600SH3

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
75+
$1.667
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMJ70H600SH3
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS megfelel
  • Adatlapokat
    DMJ70H600SH3.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-251
  • Sorozat
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    113W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    8 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    643pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    700V
  • Részletes leírás
    N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMJ70H600SH3" kapcsolódó termékek.
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Leírás: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
IXTK40P50P

IXTK40P50P

Leírás: MOSFET P-CH 500V 40A TO-264

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Leírás: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13

Leírás: MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Leírás: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Leírás: MOSFET N-CH TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Leírás: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Leírás: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
APT12M80B

APT12M80B

Leírás: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Leírás: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Gyártók: Skyworks Solutions, Inc.
Raktáron
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Leírás: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

Leírás: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
FDS7066N7

FDS7066N7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

Leírás: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Leírás: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.