A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Arrays > DMG8601UFG-7
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
615018DMG8601UFG-7 képDiodes Incorporated

DMG8601UFG-7

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.223
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    DMG8601UFG-7
  • Gyártó / Márka
    Diodes Incorporated
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    DMG8601UFG-7.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.05V @ 250µA
  • Szállító eszközcsomag
    U-DFN3030-8
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Teljesítmény - Max
    920mW
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    8-PowerUDFN
  • Más nevek
    DMG8601UFG-7DITR
    DMG8601UFG7
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    20 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    143pF @ 10V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    8.8nC @ 4.5V
  • FET típus
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET funkció
    Logic Level Gate
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    20V
  • Részletes leírás
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    6.1A
  • Alap rész száma
    DMG8601UFG

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "DMG8601UFG-7" kapcsolódó termékek.
DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7

Leírás: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Leírás: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Gyártók: Panasonic
Raktáron
RFQ
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Leírás: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Leírás: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Gyártók: Panasonic
Raktáron
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Leírás: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Leírás: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Gyártók: Panasonic
Raktáron
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Leírás: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG7401SFGQ-13

DMG7401SFGQ-13

Leírás: MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Leírás: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Gyártók: Panasonic
Raktáron
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Leírás: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Gyártók: Panasonic
Raktáron
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Leírás: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Leírás: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Gyártók: Panasonic
Raktáron
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Leírás: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Leírás: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Leírás: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Gyártók: Diodes Incorporated
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.