A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > FQA7N80_F109
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
3563259FQA7N80_F109 képAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA7N80_F109

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    FQA7N80_F109
  • Gyártó / Márka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    FQA7N80_F109.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    TO-3PN
  • Sorozat
    QFET®
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 3.6A, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    198W (Tc)
  • Csomagolás
    Tube
  • Csomagolás / tok
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Through Hole
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    1850pF @ 25V
  • Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    800V
  • Részletes leírás
    N-Channel 800V 7.2A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Tc)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "FQA7N80_F109" kapcsolódó termékek.
FQA7N80C-F109

FQA7N80C-F109

Leírás: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Leírás: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA70N15

FQA70N15

Leírás: MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P

Gyártók: Fairchild/ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA85N06

FQA85N06

Leírás: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA7N60

FQA7N60

Leírás: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA7N90_F109

FQA7N90_F109

Leírás: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA8N90C-F109

FQA8N90C-F109

Leírás: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA7N80

FQA7N80

Leírás: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA7N90M

FQA7N90M

Leírás: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA6N90

FQA6N90

Leírás: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA6N90C-F109

FQA6N90C-F109

Leírás: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA8N100C

FQA8N100C

Leírás: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA8N80C

FQA8N80C

Leírás: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA7N90

FQA7N90

Leírás: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA70N10

FQA70N10

Leírás: MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA8N90C

FQA8N90C

Leírás: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA6N80_F109

FQA6N80_F109

Leírás: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA7N90M_F109

FQA7N90M_F109

Leírás: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA7N80C

FQA7N80C

Leírás: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

Leírás: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.