A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > BVSS123LT1G
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
6946695BVSS123LT1G képAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS123LT1G

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.076
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    BVSS123LT1G
  • Gyártó / Márka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    BVSS123LT1G.pdf
  • ECAD modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technológia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Szállító eszközcsomag
    SOT-23-3
  • Sorozat
    -
  • RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs
    6 Ohm @ 100mA, 10V
  • Teljesítményleadás (Max)
    225mW (Ta)
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Más nevek
    BVSS123LT1G-ND
    BVSS123LT1GOSTR
  • Üzemi hőmérséklet
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    40 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds
    20pF @ 25V
  • FET típus
    N-Channel
  • FET funkció
    -
  • Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva)
    10V
  • Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss)
    100V
  • Részletes leírás
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C
    170mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

A Microchip 500 elbocsátást jelentett be, a szerkezetáta...

2024/12/4

QUANTA: Az AI igény továbbra is erős, folyamatos megrend...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

A Samsung jelentősen csökkenti a fotoreziszta használat...

2024/12/2

Vishay 51 millió fontot fog befektetni a megszerzett NWF W...

2024/11/29

Trump vámtarifa fenyegetése, Nvidia, az Intel beszállít...

2024/11/28

Az Intel 7,86 milliárd dollárt fog kapni az Egyesült Ál...

2024/11/27
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "BVSS123LT1G" kapcsolódó termékek.
IRF2804

IRF2804

Leírás: MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
SI3400A-TP

SI3400A-TP

Leírás: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Gyártók: Micro Commercial Components (MCC)
Raktáron
RFQ
STB34N50DM2AG

STB34N50DM2AG

Leírás: MOSFET N-CH 500V 26A

Gyártók: STMicroelectronics
Raktáron
RFQ
IXFX210N30X3

IXFX210N30X3

Leírás: 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
CPH3455-TL-H

CPH3455-TL-H

Leírás: MOSFET N-CH 35V 3A CPH3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Leírás: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

Leírás: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
IRF9510L

IRF9510L

Leírás: MOSFET P-CH 100V 4A TO-262

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Leírás: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

Gyártók: MPD (Memory Protection Devices)
Raktáron
RFQ
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Leírás: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

Gyártók: MPD (Memory Protection Devices)
Raktáron
RFQ
IXFB90N85X

IXFB90N85X

Leírás: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
VMO550-01F

VMO550-01F

Leírás: MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB

Gyártók: IXYS Corporation
Raktáron
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Leírás: MOSFET N-CH 40V 135A

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
FQP3N25

FQP3N25

Leírás: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
IRFR024TRL

IRFR024TRL

Leírás: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Leírás: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Raktáron
RFQ
STF13NM60N-H

STF13NM60N-H

Leírás: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP

Gyártók: STMicroelectronics
Raktáron
RFQ
IRFR13N20DCPBF

IRFR13N20DCPBF

Leírás: MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

Gyártók: International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktáron
RFQ
STP2N95K5

STP2N95K5

Leírás: MOSFET N-CH 950V 2A TO220

Gyártók: STMicroelectronics
Raktáron
RFQ
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Leírás: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

Gyártók: MPD (Memory Protection Devices)
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkhírekHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.