A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > BYG20GHE3/TR
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1704818BYG20GHE3/TR képVishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3/TR

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
7200+
$0.135
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    BYG20GHE3/TR
  • Gyártó / Márka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
    1.BYG20GHE3/TR.pdf
    2.BYG20GHE3/TR.pdf
  • Feszültség - Peak Reverse (Max)
    Avalanche
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1.5A
  • Feszültségelosztás
    DO-214AC (SMA)
  • Sorozat
    -
  • RoHS állapot
    Tape & Reel (TR)
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Ellenállás @ If, F
    -
  • Polarizáció
    DO-214AC, SMA
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    75ns
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    14 Weeks
  • Gyártási szám
    BYG20GHE3/TR
  • Bővített leírás
    Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Dióda konfiguráció
    1µA @ 400V
  • Leírás
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    1.4V @ 1.5A
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io) (diódánként)
    400V
  • Capacitance @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

Az AMD elindítja a Bangalore Design Center második szakas...

2024/11/26

Az NVIDIA RTX 5090 grafikus kártya GPU területe 744 mm ²...

2024/11/25

Az antropikus újabb 4 milliárd dolláros befektetést kap...

2024/11/23

Semi: Az IC eladások 12% -kal növekednek a harmadik n...

2024/11/22

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "BYG20GHE3/TR" kapcsolódó termékek.
BYG20GHE3_A/I

BYG20GHE3_A/I

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20G-E3/TR

BYG20G-E3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20G-M3/TR3

BYG20G-M3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20J-E3/TR

BYG20J-E3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20GHM3_A/H

BYG20GHM3_A/H

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20GHM3_A/I

BYG20GHM3_A/I

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20GHE3/TR3

BYG20GHE3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG20G-M3/TR

BYG20G-M3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20GHM3/TR3

BYG20GHM3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG20G M2G

BYG20G M2G

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
BYG20J M2G

BYG20J M2G

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
BYG20DHM3_A/H

BYG20DHM3_A/H

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20J R3G

BYG20J R3G

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
BYG20DHM3_A/I

BYG20DHM3_A/I

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20G R3G

BYG20G R3G

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)
Raktáron
RFQ
BYG20DHM3/TR3

BYG20DHM3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG20GHE3_A/H

BYG20GHE3_A/H

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay
Raktáron
RFQ
BYG20DHM3/TR

BYG20DHM3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG20G-E3/TR3

BYG20G-E3/TR3

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
BYG20GHM3/TR

BYG20GHM3/TR

Leírás: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Gyártók: Vishay Semiconductor Diodes Division
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.