A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

*Cégnév
*Név
*Cím

*Email cím
*Telefonszám

*Ország
*Kapcsolattartó ablak
*Esemény dátuma

*Üzenet

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.

Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömbök, előzetes > RN1962TE85LF

RFQs/megrendelés (0)

Magyarország

Magyarország

6788774

RN1962TE85LF kép

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1962TE85LF

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron

1+

$0.22

10+

$0.203

25+

$0.146

100+

$0.114

250+

$0.071

500+

$0.061

1000+

$0.041

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

RN1962TE85LF
Gyártó / Márka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

RN1962TE85LF.pdf
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzisztor típusú

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Szállító eszközcsomag

US6
Sorozat

-
Ellenállás - emitteralap (R2)

10 kOhms
Ellenállás - alap (R1)

10 kOhms
Teljesítmény - Max

500mW
Csomagolás

Cut Tape (CT)
Csomagolás / tok

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Más nevek

RN1962TE85LFCT
Szerelési típus

Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Frekvencia - Átmenet

250MHz
Részletes leírás

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 500mW Surface Mount US6
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Aktuális - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max)

100mA

Kapcsolódó hír
Szállítás
Fizetés

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

Szállítás

Fizetés

Az alábbiakban az "RN1962TE85LF" kapcsolódó termékek.

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1910FE,LF(CT

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1964TE85LF

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1911FETE85LF

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1910,LF(CT

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1968(TE85L,F)

RN1968(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Leírás: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage

Raktáron

Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.

Kövess minket

Felhasználási feltételek Jogsértési politika Árajánlatot kér Rólunk Lépjen kapcsolatba velünk Helytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.