A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - RF > MT3S113(TE85L,F)
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1723578

MT3S113(TE85L,F)

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
3000+
$0.28
6000+
$0.266
15000+
$0.255
30000+
$0.248
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    MT3S113(TE85L,F)
  • Gyártó / Márka
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólommentes / RoHS megfelelő
  • Adatlapokat
  • Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max)
    5.3V
  • Tranzisztor típusú
    NPN
  • Szállító eszközcsomag
    S-Mini
  • Sorozat
    -
  • Teljesítmény - Max
    800mW
  • Csomagolás
    Tape & Reel (TR)
  • Csomagolás / tok
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Más nevek
    MT3S113(TE85LF)
    MT3S113(TE85LF)TR
  • Üzemi hőmérséklet
    150°C (TJ)
  • Zaj kép (dB Typ @ f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • A gyártó szabványos leadási ideje
    12 Weeks
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Lead free / RoHS Compliant
  • Nyereség
    11.8dB
  • Frekvencia - Átmenet
    12.5GHz
  • Részletes leírás
    RF Transistor NPN 5.3V 100mA 12.5GHz 800mW Surface Mount S-Mini
  • DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Áram - kollektor (Ic) (Max)
    100mA
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Leírás: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage
Raktáron
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Leírás: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Leírás: PARALLEL/PSRAM 80M

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Leírás: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Leírás: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage
Raktáron
MT3B3024

MT3B3024

Leírás: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Gyártók: Agastat Relays / TE Connectivity
Raktáron
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Leírás: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Leírás: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage
Raktáron
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Leírás: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Leírás: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage
Raktáron
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Leírás: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Leírás: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Leírás: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Leírás: PARALLEL/PSRAM 48M

Gyártók: Micron Technology
Raktáron
MT3B30C4

MT3B30C4

Leírás: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Gyártók: Agastat Relays / TE Connectivity
Raktáron
MT3B6115

MT3B6115

Leírás: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Gyártók: Agastat Relays / TE Connectivity
Raktáron
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Leírás: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage
Raktáron
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Leírás: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage
Raktáron
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Leírás: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Gyártók: Toshiba Semiconductor and Storage
Raktáron
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Leírás: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Gyártók: Micron Technology
Raktáron

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez