1N4448,113

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

Érdeklődés Online

Műszaki adatok

Cikkszám

1N4448,113
Gyártó / Márka

Freescale / NXP Semiconductors
Készletmennyiség

Raktáron
Leírás

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Ólommentes / RoHS megfelelő
Adatlapokat

1N4448,113.pdf
ECAD modell
Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha

1V @ 100mA
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)

100V
Szállító eszközcsomag

ALF2
Sebesség

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Sorozat

-
Hátralévő helyreállítási idő (trr)

4ns
Csomagolás

Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok

DO-204AH, DO-35, Axial
Más nevek

1N4448 T/R
568-1361-2
933120350113
Működési hőmérséklet - csatlakozás

200°C (Max)
Szerelési típus

Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot

Lead free / RoHS Compliant
Diódatípus

Standard
Részletes leírás

Diode Standard 100V 200mA (DC) Through Hole ALF2
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr

25nA @ 20V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)

200mA (DC)
Capacitance @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz
Alap rész száma

1N4448

Az alábbiakban az "1N4448,113" kapcsolódó termékek.

1N4448-TP

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Gyártók: Micro Commercial Components (MCC)

Raktáron

RFQ

1N4447TR

Leírás: DIODE GEN PURP 100V DO35

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N4448-T

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

RFQ

1N4448-T

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

1N4448HWS-7

Leírás: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

RFQ

1N4446TR

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N4447

Leírás: DIODE GEN PURP 100V DO35

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N4446_T50R

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N4448HLP-7

Leírás: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

RFQ

1N4448,133

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Gyártók: Nexperia

Raktáron

RFQ

1N4448,143

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Gyártók: NXP Semiconductors / Freescale

Raktáron

RFQ

1N4447

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

1N4448 TR

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Gyártók: Central Semiconductor Corp

Raktáron

RFQ

1N4448-A

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Gyártók: Electro-Films (EFI) / Vishay

Raktáron

RFQ

1N4448HWS-13-F

Leírás: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

RFQ

1N4448

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Gyártók: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N4448HWS-7-F

Leírás: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Gyártók: Diodes Incorporated

Raktáron

RFQ

1N4448 BK

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Gyártók: Central Semiconductor

Raktáron

RFQ

1N4448 A0G

Leírás: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Gyártók: TSC (Taiwan Semiconductor)

Raktáron

RFQ

1N4448

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Gyártók: Microsemi

Raktáron

RFQ

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

Előzetes regisztráció

1N4448,113

Ajánlat kérése

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

1N4448-TP

1N4447TR

1N4448-T

1N4448-T

1N4448HWS-7

1N4446TR

1N4447

1N4446_T50R

1N4448HLP-7

1N4448,133

1N4448,143

1N4447

1N4448 TR

1N4448-A

1N4448HWS-13-F

1N4448

1N4448HWS-7-F

1N4448 BK

1N4448 A0G

1N4448

Válasszon nyelvet

Aktuális nyelv