A látogatók számára az Electronica 2024 -ben

Foglalja le most az idejét!

Csak néhány kattintás szükséges a hely fenntartásához és a Booth jegy megszerzéséhez

C5 Hall Booth 220

Előzetes regisztráció

A látogatók számára az Electronica 2024 -ben
Mindannyian regisztrálsz! Köszönjük, hogy megbeszélést tettél!
Miután ellenőriztük a foglalását, e -mailben küldjük el a Booth jegyeket.
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Diódák - Egyenirányítók - Egyedülálló > JAN1N6629US
RFQs/megrendelés (0)
Magyarország
Magyarország
1101890JAN1N6629US képMicrosemi

JAN1N6629US

Ajánlat kérése

Kérjük, töltse ki az összes szükséges mezőt a kapcsolattartási adataival. Kattintson a "Beküldés rfq" című részével. Rövidesen e -mailben felveszünk Önnel.Vagy küldjön e -mailt nekünk:info@ftcelectronics.com

referencia ár (amerikai dollárban)

Raktáron
100+
$21.377
Érdeklődés Online
Műszaki adatok
  • Cikkszám
    JAN1N6629US
  • Gyártó / Márka
    Microsemi
  • Készletmennyiség
    Raktáron
  • Leírás
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Ólom / RoHS nem megfelelő
  • Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha
    1.4V @ 1.4A
  • Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max)
    880V
  • Szállító eszközcsomag
    D-5B
  • Sebesség
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sorozat
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Hátralévő helyreállítási idő (trr)
    50ns
  • Csomagolás
    Bulk
  • Csomagolás / tok
    E-MELF
  • Más nevek
    1086-19990
    1086-19990-MIL
  • Működési hőmérséklet - csatlakozás
    -65°C ~ 150°C
  • Szerelési típus
    Surface Mount
  • Nedvességérzékenységi szint (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ólommentes állapot / RoHS állapot
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diódatípus
    Standard
  • Részletes leírás
    Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount D-5B
  • Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr
    2µA @ 880V
  • Aktuális - Átlagosan korrigált (Io)
    1.4A
  • Capacitance @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

Úgy tűnik, hogy a Kioxia november 22 -én kapja meg a tő...

2024/11/21

A Tower Semiconductor legújabb szilícium -optikai platfor...

2024/11/20

Az ipar lassan felépül.Az IQE epitaxiális beszállítój...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Szállító: Nagyszámú RTX 50 sorozatú GPU alkatrészt s...

2024/11/18

Tajvan, Kína Semiconductor output értéke 22% -kal n...

2024/11/17

Az OLED panelek bővítése, az LG Display további 1 milli...

2024/11/15

Az Amazon növeli a testreszabott AI chips létrehozására...

2024/11/14

A Pegatron negyedév nettó nyeresége 4,296 milliárd doll...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dél -Korea azt tervezi, hogy elfogadja a chip törvényt, ...

2024/11/13
Szállítás
Fizetés
Az alábbiakban az "JAN1N6629US" kapcsolódó termékek.
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Leírás: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Leírás: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Leírás: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Leírás: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Leírás: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Leírás: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Leírás: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Leírás: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Leírás: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Leírás: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Leírás: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Leírás: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Leírás: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Leírás: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Leírás: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Gyártók: Microsemi Corporation
Raktáron
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Leírás: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Leírás: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Leírás: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Gyártók: Microsemi
Raktáron
RFQ
Mint az egyetlen nyilvános nyílt piaci disztribútor, a globális hozzáférés, a feldolgozóipar szaktudásának és a bizonyított minőségének egyedülálló kombinációjával rendelkezünk.Ezzel testreszabott, teljes körű ellátási lánc megoldásokat hozhatunk létre az elektronikai alkatrészek beszerzéséhez és a készletkezeléshez.
Kövess minket
Felhasználási feltételekJogsértési politikaÁrajánlatot kérRólunkLépjen kapcsolatba velünkHelytérkép

Válasszon nyelvet

Kattintson a helyre a kilépéshez

Aktuális nyelv

Válassza ki országát vagy régióját.